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Samsung, la nuova soluzione di memoria renderà più veloci i “mid-range”

samsung DRAM

Nelle scorse ore Samsung ha annunciato di aver iniziato a produrre in serie una nuova soluzione di memoria per smartphone che integra la DRAM LPDDR5 più veloce con l’ultima flash NAND UFS 3.1. Sfruttando proprio questa integrazione, l’obiettivo di Samsung è quello di riuscire a garantire prestazioni di alto livello ad una gamma più ampia di utenti di smartphone. Young-soo Sohn, vicepresidente del team di pianificazione dei prodotti di memoria presso Samsung Electronics, ha rivelato alcuni dettagli della nuova soluzione.

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Sohn ha affermato che “il nuovo uMCP LPDDR5 di Samsung si basa sulla nostra ricca eredità di miglioramenti della memoria e know-how sul packaging, consentendo ai consumatori di godere di esperienze ininterrotte di streaming, gaming e realtà mista anche su dispositivi di livello inferiore”. Questa nuova soluzione di memoria si adatterebbe perfettamente ai telefoni Samsung della serie Galaxy A, che rientrano nel segmento di fascia media ma che mettono comunque a disposizione degli utenti una scheda tecnica più che positiva, con hardware efficace, fotocamere valide e batterie di grandi dimensioni, il tutto ad un prezzo conveniente.

Il dirigente del gigante di Seul ha aggiunto che man mano che i dispositivi compatibili con il 5G aumentano la loro diffusione, “la nostra ultima innovazione del pacchetto multichip dovrebbe accelerare la transizione del mercato al 5G e contribuirà a portare il metaverso nella nostra vita quotidiana molto più velocemente”. Samsung afferma inoltre che con le sue ultime interfacce DRAM e NAND, uMCP sarà capace di offrire una velocità fulminea e una capacità di archiviazione elevata a bassa potenza.

In questo modo, molti più utenti saranno in grado di utilizzare le applicazioni 5G, in precedenza disponibili solo sui top di gamma. Queste applicazioni includeranno giochi ad alta intensità grafica, un livello fotografico più avanzato e la realtà aumentata, con un incremento di quasi il 50% delle prestazioni della DRAM da 17 gigabyte al secondo (GB/s) a 25GB/s.

Anche le prestazioni della flash NAND sono più che raddoppiate (da 1,5 GB/s a 3 GB/s) rispetto alla soluzione precedente, che utilizzava un pacchetto UFS 2.2 basato su LPDDR4X. Altro aspetto interessante è quello che riguarda il pacchetto DRAM/NAND integrato, capace di inserirsi in un piccolo spazio di 11,5 mm x 13 mm in modo tale da assicurare ai produttori lo spazio necessario per aggiungere altre funzionalità ai propri smartphone.

La memoria DRAM varia da 6 GB a 12 GB, mentre la memoria UFS è disponibile in una gamma da 128 GB a 512 GB. Sammy afferma che “uMCP può essere facilmente personalizzato per soddisfare le diverse esigenze degli smartphone 5G nei segmenti di fascia media e alta”. La compatibilità dell’LPDDR5 uMCP è stata completata con successo con i produttori di smartphone, pertanto i dispositivi equipaggiati con questa nuova soluzione dovrebbero essere disponibili nei mercati principali alla fine di questo mese.


Fonte Phone Arena

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