La casa coreana sembra intenzionata a precorrere i tempi, dando l’avvio sia al prototipo dell’atteso Samsung Galaxy S6 e di alcune novità attesissime sul fronte RAM: in arrivo i device che ne supporteranno ben 4GB.

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Samsung, RAM a 4GB per i device di domani

Ambizioni su larga scala per il circuito RAM sviluppato dalla casa coreana, che secondo le ultime indiscrezioni sembra confermare la presenza di alcuni prototipi di banchi RAM a 4GB destinati ai dispositivi portatili, un campo in cui, a causa della presenza di app e funzioni sempre più interconnesse, performanti e complesse, la presenza di una buona memoria di questa tipologia è fondamentale. I chip previsti per l’introduzione nei prossimi mesi apparterranno al tipo LPDDR 8 Gbit, creati con l’ultima delle tecniche a 20 nanometri disponibile sulla scena. Samsung batte quindi in anticipo possibili tentativi di imitazione, lasciando inoltre alcuni “hint” sul fatto che il primo device pronto ad ospitare queste nuove meraviglie potrebbe essere Galaxy Note 5: in questo senso, sfumano un poco le speranze dei possessori di smartphone che ne avrebbero voluto scoprire uno in funzione già a partire dal Samsung Galaxy S6.

I primi banchi RAM 4GB sono previsti per inizio 2015; al momento si cercano le prime speculazioni sulle specifiche tecniche: si sa, ad esempio, che i nuovi chip avranno velocità maggiore rispetto alla classica DRAM PC, abbattendo i consumi e performando in maniera doppia rispetto ai passati LPDDR3. L’elevato data rate I/O permetterebbe inoltre una registrazione ed una possibilità di riprodurre video UHD ad alta velocità, oltre a manipolare i componenti multimediali con una velocità fulminea. Il tutto con grandi benefici per i device di fascia alta, sapendo che i System On a Chip in grado di supportare i nuovi blocchi di memoria saranno gli Exynos octacore e probabilmente Snapdragon 810. Attendiamo quindi questa rivelazione in campo device, pronta ad aiutare gli utenti a svolgere finalmente un multitasking degno di nota.