Nel 2019 e nel 2020 Qualcomm si era affidata a TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) per la realizzazione dei suoi processori da destinare agli smartphone di fascia alta. Tuttavia, per realizzare il suo nuovo chipset di fascia alta, il produttore statunitense ha preso una strada diversa, decidendo di riaffidarsi a Samsung.
Parliamo ovviamente del plurielogiato Snapdragon 888, costruito utilizzando il processo di fabbricazione EUV a 5 nm del colosso di Seul. Stando a quanto emerso sul web, sembra che questa collaborazione sia destinata a durare anche nei prossimi anni, andando così a smentire le voci che volevano Qualcomm prossima al ritorno con TSMC per il suo processore di punta di prossima generazione.
Un’eventualità che secondo il noto leaker Roland Quandt non ha ragione di esistere. Secondo l’informatore, infatti, Qualcomm starebbe già testando il successore dello Snapdragon 888, che viene individuato nel numero SM8450 (nome in codice Waipio), e che sarà prodotto da Samsung Foundry. Tuttavia, non è ancora chiaro se il chipset di nuova generazione continuerà a utilizzare il processo LPE a 5 nm oppure se ne vedremo uno ancora migliore.
Sia Exynos 2100 che Snapdragon 888 utilizzano il processo a 5 nm di Samsung e gli studi dimostrano che il processo LPE a 5 nm dell’azienda sudcoreana garantisce un livello almeno paragonabile a quello che riesce ad assicurare il processo a 7 nm di TSMC in termini di efficienza energetica. Sempre sul web si fa riferimento al fatto che Qualcomm potrebbe lanciare anche un processore SM8350 Pro (che andrebbe a chiamarsi Snapdragon 888+ o Snapdragon 888 Pro) entro la fine dell’anno, anch’esso realizzato da Samsung.
L’azienda con sede a Seul produce già gli ultimi modem 5G di Qualcomm, Snapdragon X62 e Snapdragon X65, utilizzando il suo processo a 4 nm. Il prossimo processore di punta di Qualcomm potrebbe utilizzare lo stesso processo a 4 nm o utilizzare la prossima tecnologia GAA a 3 nm, che pare in grado di fornire un’efficienza energetica decisamente più elevata rispetto ai processi 5 nm e 4 nm.
